Unipolar low power real pulsed magnetron sputter coater
دو دستگاه اسپاترینگ دریک سیستم مجتمع
امکانات سیستم اسپاترینگ جریان مستقیم و پالسی تک قطبی رو میزی جهت فرآیند لایه نشانی عبارتند از:
• کنترل فرآیند اپراتوری در دو حالت جریان مستقیم و حالت تک قطبی (Manual)
• کنترل فرآیند با قابلیت برنامه ریزی در دو حالت جریان مستقیم و حالت تک قطبی (auto)
• کنترل فرآینداسپاترینگ مگنترون در دو حالت جریان مستقیم و حالت تک قطبی با قابلیت تنطیم جریان (در طی پروسس)
• کنترل فرآینداسپاترینگ مگنترون در دو حالت جریان مستقیم و حالت تک قطبی با قابلیت تنطیم ولتاژ (در طی پروسس)
• کنترل فرآینداسپاترینگ مگنترون در دو حالت جریان مستقیم و حالت تک قطبی با قابلیت تنطیم توان (در طی پروسس) (طبق سفارش)
• کنترل فرآینداسپاترینگ مگنترون در دو حالت جریان مستقیم و حالت تک قطبی با قابلیت تنطیم Z (در طی پروسس) (طبق سفارش)
• کنترل فرآیند لایه نشانی در دو حالت جریان مستقیم و حالت تک قطبی بر اساس ضخامت
•کنترل فرآیند لایه نشانی در دو حالت جریان مستقیم و حالت تک قطبی بر اساس زمان
•کنترل لایه نشانی براساس برنامه ریزی با قابلیت ذخیره و لود و سیمولیشن مشتمل بر:
( PreCondition – Post Condition – Deposition – Feed and idel )
• کنترل فرآینداسپاترینگ مگنترون در حالت تک قطبی با قابلیت تنطیم فرکانس (در طی پروسس)
•کنترل فرآیند اسپاترینگ مگنترون درحالت تک قطبی با قابلیت تنطیم زمان کاری (در طی پروسس)
• لایه نشانی با الگوی خطی روی زیر لایه با رسوب لایه یکنواخت در حالت پالسی
• لایه‌نشانی با دقت بالا (دانه‌بندی طلا به سایز نانومتری)
• رسوب لایه یکنواخت (مناسب برای کاربرد SEM)
• زیرسیستم هوشمند اندازه‌گیری ضخامت
• زیرسیستم هوشمند اندازه‌گیری فشار
• زیرسیستم هوشمند کنترل وتنظیم سرعت چرخش زیر لایه (طبق سفارش)
• زیرسیستم هوشمند تنظیم جریان اسپاترینگ در دو مد PID و FORECASTING
• زیرسیستم هوشمند کنترل سویچها ،ولوها،اسپاترینگ و پمپ خلاء
• کاتد با قابلیت تنطیم راویه (طبق سفارش)
• کاتد ثابت
• نگهدارنده زیر لایه با قابلیت چرخش و تنطیم زاویه (طبق سفارش)
• نگهدارنده زیر لایه با قابلیت چرخش (طبق سفارش)
• نگهدارنده زیر لایه ثابت
• طراحی ماژولار نرم افزار وسخت افزار
• نرم افزار کاربردی پایه و امکان تغییر ات با توجه به درخواست مشتری
• کنترل فرآیند لایه نشانی به وسیله کامپیوترتحت پلت فرم ویژوال استودیو
• کنترل فرآیند لایه نشانی به وسیله HMI (طبق سفارش)
• کنترل فرآیند لایه نشانی به وسیله کامپیوتر و HMI (طبق سفارش)
• کنترل فرآیند لایه نشانی بر اساس درخواست مشتری
________________________________________
مزایا
• عملکرد آسان
• عدم نیاز به خنک‌کاری درمحدوده کاری
• قابلیت تولید دقیق لایه‌ها
• قابلیت وفق‌پذیری بالا با گستره وسیعی از نمونه‌ها
• قابلیت تکرار ضخامت لایه‌ها
• گذاشتن و برداشتن آسان نمونه
• توانایی پیش تنظیم ضخامت لایه مورد نظر در دو مد کاری
________________________________________
| بدنه دستگاه | 200 میلی‌متر × 350 میلی‌متر× 400 میلی‌متر |
| محفظه خلأ | شیشه پیرکس (ضخامت: 7 میلی‌متر، قطر: 140میلی متر، ارتفاع: 120 تا170 میلی‌متر) |
| وزن دستگاه (بدون پمپ) | وابسته به تیپ دستگاه |
| تارگت | قطر 2 اینچ ×ضخامت 3 میلی‌متر |
| قطر کاتد لایه‌نشانی | 2 اینچ |
| مقر نمونه ( پیش فرض ) | 2 اینچ |
| فاصله قابل تنظیم تارگت تا زیرلایه | 30-70 میلی‌متر |
| نرخ لایه نشانی | 0 – 30 nm/min طبق پروسس تنظیمی |
| زمان لایه‌نشانی | 0-5 دقیقه |
| محدوده جریان لایه‌نشانی | تیپ 1 (0-100 میلی‌آمپر) تیپ 2 (0-250 میلی آمپر) |
| فشار کاری محفظه خلاء | 40~110 میلی‌تور |
| سنسور فشار | G103E |
| محدوده فرکانس کاری | تیپ 1 : 0-50 کیلو هرتز قابل ارتقاء بنا به درخواست مشتری تا 250 کیلو هرتز |
| کنترل جریان گاز آرگون | شیر سوزنی دارد (بنا به درخواست مشتری قایل تعویض با MFC) |
| حداکثر ولتاژ کاری | 700 ولت DC |
| مشخصات ولتاژبرق ورودی | 220 ولت متناوب – 6 آمپر |
| سیستم کنترل و مانیتورینگ | شبکه زیرسیستم های میکرو کنترلربا کنترل مرکزکامپیوتری یا مانیتور لمسی 7 اینچی |
لایه نشانی بروش پالسی
بدون شک فرآیند لایه نشانی پالسی یکی از مهمترین تکنیک های اسپاترینگ می باشد.
مزیت عمومی روش لایه نشانی پالسی عبارتست از:
– حذف مناطق مسموم و جرقه در تارگت: این مهم با تخلیه ی کاتد و یا در حالت دو قطبی نامتقارن با تغییر پلاریته صورت میپذیرد. در حالت دو قطبی هم از تخلیه (دشارژ) و هم از خاصیت تمیز کاری در نیم سیکل دوم استفاده میگردد. محدوده ی فرکانس رنجی از 0 – 350 کیلوهرتز وابسته به طراحی دستگاه می باشد.
– رشد لایه نسبتاً بالای عملیات لایه نشانی است که می تواند در حد لایه نشانی جریان مستقیم باشد. (با تغییر چرخه ی کاری)
– رنج وسیع تغییر فرکانس و زمان کاری و ایجاد خواص مختلف در لایه ها با تنظیم شرایط مختلف .
– سهولت فرآیند و کار با سیستم پالسی وامکان اتوماسیون فرآیند.
– عدم نیاز به تطابق امپدانس و سعی و خطا جهت ایجاد پلاسما و امکان اتوماسیون فرآیند .
– امکان تنظیم میزان پالس دو قطبی وایجاد شرایط مطلوب .(در روش دو قطبی)
– ارزانی و سبکی سیستم .
روش های مختلف سیستم پالسی عبارتند از:
PMS -HPMS -HIPMS
و روش اختصاصی و اختراعی شرکت نانو فناوری لایه نشان سطح LP RPMS
مشخصات منحصر به فرد سیستم :
–استقلال شکل موج از شرایط ترمودینامیکی و هندسی محفظه
–اعمال شکل موج پالس مربعی بدون اعوجاع روی کاتد بصورت عملیاتی
–ایجاد پروسس پالسی با توان پایین با امکان تغییر سطح ولتاژ نامتقارن (در حالت دو قطبی)
–ایجاد پروسس پالسی با توان پایین با جریان استثنایی 5 تا 100 میلی آمپر (قابل سفارش جهت جریانهای بالاتر)
–امکان برنامه ریزی وتغییر پارامترهای پروسس در حین لایه نشانی بر اساس :
جریان, ولتاژ , توان , امپدانس , فرکانس و چرخه کاری
دستگاه اسپاترینگ مستقیم و پالسی مگنتروني با توان پايين از تكنيك كندوپاش مگنتروني استفاده ميكند . تغييرات اساسي اين سيستم استفاده از منبع قدرت پالسي كم توان با سازوكار كنترلي قابل برنامه ریزی ميباشد.اين سازوكار منجر به كنترل و اعمال دقيق پارامترهاي پالس به كاتد شده و امکان کنترل پروسس لایه نشانی را افزایش میدهد به همین جهت پلاسما تحت تاثیر خواص ترمودینامیکی محفظه ، میدان الکتریکی ، میدان مغناطیسی ، وضعیت گذرای تشکیل پلاسما و بر هم کنش عوامل فوق قرار نمیگیرد.همچنين امکان لایه نشانی تکرار پذیر و یکنواخت را برای لایه نشانی های بسیار دقیق (زیر۲۰ نانومتر) کاملا امکان پذیر میسازد.دستگاه اسپاترینگ مستقیم و پالسی مگنترون از کاتدی با میدان نامتوازن با قطر ۲ اینچ استفاده می‌کند، که در نتیجه با استفاده از ولتاژهای کم، کارایی فرآیند را افزایش میدهد و از طرفی بدون نیاز به خنک کاری تارگت یا پایه نمونه، شرایط رشد لایه در حد نانومتر را امکان پذیر میسازد.کندوپاش کم توان مگنترون مستقیم و پالسی جهت ارتقاء کیفیت، تمیزی لایه ها، جلوگیری از جرقه و دستیابی به جریان پایین در روش پالسی با کنترل کامل پالس می باشد.
This post is also available in: 
English